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和茂儀器
產(chǎn)品中心

SciDre 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

  •    德國SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔可最大壓力可達(dá)300Bar,甚以及10 -5 mBar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

               
              

     

     
    • 豎直雙鏡設(shè)計(jì),采用高照度短弧氙燈
    • 熔區(qū)溫度:最高>3000℃
    • 熔區(qū)壓力:10 -5 mbar 至 300 bar
    • 多路獨(dú)立氣體流量和氣壓控制
    • 豐富的可升級選件

     

     

     

     

     

     

     

     

    耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率、拆裝簡便、帶樣品污染保護(hù)的石英樣品腔

    由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用光學(xué)和精密工程研究所優(yōu)化設(shè)計(jì)的高反射率鏡面,鏡體位置和角度可由高精度步進(jìn)馬達(dá)控制調(diào)節(jié)

    光闌式光強(qiáng)控制器

       更方便地調(diào)節(jié)熔區(qū)溫度,延長燈泡壽命

    仿真化觸屏控制軟件,界面友好,操作簡單

     

     

     

      熔區(qū)測溫選件專利測溫技術(shù)

    可探測熔區(qū)和料棒的溫度梯度

    多路獨(dú)立氣路控制選件   可控制N 2 、O 2 、Ar、空氣等其他的流量和壓力, 并可對氣體進(jìn)行比例混合與熔區(qū)進(jìn)行反應(yīng)

       

     

     

    氣體除雜選件

    可使高壓氬氣中的氧含量達(dá)到10 -12ppm

     

    退火選件

    可對離開熔區(qū)的單晶棒提供最高1100℃退火溫度和高壓氧環(huán)境并可定制退火溫度梯度

      主要技術(shù)參數(shù):
       

    熔區(qū)溫度

    最高 2000 - 3000 ℃以上

    熔區(qū)壓力

    最大 10 50 、 100 、 150 300 bar 可選

    熔區(qū)真空

    1*10 -2 mbar 1*10 -5 mbar 可選

    熔區(qū)氣氛

    Ar 、 O 2 、 N 2 等可選

    氣體流量

    0.25 – 1 L/min 流量可控

    氙燈功率

    3kW 15kW 可選

    料棒臺尺寸

    6.8mm 9.8mm 可選

    拉伸速率

    0.1-200 mm/h

    調(diào)節(jié)速率

    0.6 mm/s

    拉伸尺寸

    最大 195mm

    旋轉(zhuǎn)速率

    0-150 rpm

    用電功率

    400V 三相 63A 50Hz

    水冷功率

    大于 8kW

    主機(jī)尺寸

    302cm*163cm*92cm

                                                  

     

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